铠侠（东芝）开发新型闪存：半圆形存储单元，

近日，铠侠株式会社向世界宣布了一项重大突破：他们成功研发出了一种新型的储存单元结构——“T BiCS FLASH”。这一创新成果不仅打破了传统3D闪存的技术壁垒，更预示着存储技术的新篇章。

铠侠的这一创新成果源自对3D闪存单元结构的深度挖掘和重构。传统的圆形存储单元被赋予了新的生命，其栅电极被巧妙地分割为半圆形，这种设计显著缩小了单元尺寸，实现了高集成化。这不仅意味着存储容量的提升，更代表着未来存储设备的体积将更为微小，性能更为卓越。

新技术的研发背后，铠侠对单元设计进行了革新。浮栅电荷存储层取代了传统的电荷陷阱型电荷存储层，使得单元尺寸进一步减小，同时也让高写入斜率和宽写入/擦除窗口成为可能。值得一提的是，铠侠已经在这种新型单元结构中证明了其可应用于超多值存储单元中，从而进一步提高存储容量。这一重大进展于12月11日在美国旧金山的IEEE国际电子器件会议上公布，引起了业界的广泛关注。

铠侠表示，随着BiCS FLASH等3D闪存技术的不断进化，单元的堆栈层数日益增多，容量也随之扩大。当单元的堆栈层数超过一定界限时，如超过100层，高纵宽比的加工就会变得异常困难。针对这一问题，铠侠新的单元结构以半圆形栅电极设计减小了单元尺寸，使得即使在较少的单元堆叠层数下，也能实现更高的位密度。这一创新无疑为存储技术带来了新的突破。

值得一提的是，东芝存储产品将以铠侠新形象问世。从2020年4月开始，东芝存储个人零售产品将以铠侠命名推向市场。而东芝存储企业级产品则已于2019年10月开始以铠侠品牌正式运营。这一变革标志着铠侠正以其强大的技术实力和创新精神，开启存储行业的新篇章。

但需要注意的是，本文内容转载自其他媒体，目的在于传递更多信息。对于文中所述的观点、陈述及内容等，建议读者自行核实并确认其真实性。本站对此不承担任何保证或承诺责任，对于因使用或参考本文内容而导致的任何直接或间接损失，本站不承担任何责任。如若发现任何内容侵犯您的权益，请及时与我们取得联系，我们将尽快在24小时内予以处理。